什么是LED碳化硅衬底

采用碳化硅材料作为衬底的LED芯片电极是L型电极，电流是纵向流动的。采用这种衬底制作的器件的导电和导热性能都非常好，有利于做成面积较大的大功率器件。
与以Si和GaAs为代表的传统半导体材料相比，碳化硅（SiC）半导体在工作温度、抗辐射、耐高击穿电压性能方面有很大优势。SiC作为目前发展最成熟的宽带隙半导体材料，具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速度和高键合能等优点，其优异的性能可以满足现代电子技术对高温、高频、高功率、高压及抗辐射的新要求，因而是半导体材料领域中最有前景的材料之一。由于SiC与GaN的晶格和热膨胀相匹配，所以它也成为制造高亮度GaN发光和激光二极管的理想衬底材料。
碳化硅衬底的导热性能比蓝宝石衬底高出10倍以上。蓝宝石本身是热的不良导体，并且在制造器件时底部需要使用银胶固晶，这种银胶的传热性能也很差。使用碳化硅衬底的芯片电极为L型，两个电极分布在器件的表面和底部，所产生的热量可以通过电极直接导出；同时这种衬底不需要电流扩散层，因此光不会被电流扩散层的材料吸收，这样又提高了出光效率。但是相对于蓝宝石衬底而言，碳化硅制造成本较高，实现其商业化还需要降低相应的成本。